A method for fabricating semiconductor memory cells such as dynamic random access memory (DRAM) and ferroelectric random access memory (FRAM) with improved contact between the capacitor electrode and the underneath device area. It includes the following main steps of: (1) forming a first dielectric layer on a wafer surface; (2) forming at least one through opening in the first dielectric layer; (3) forming a ruthenium based plug in the through opening; and (4) forming a capacitor in contact with the ruthenium based plug. The ruthenium based plug can be made of ruthenium metal, conductive ruthenium oxide, or a stack of conductive ruthenium oxide and ruthenium metal. The method allows the memory cell to be made without the need for a barrier, which is required to protect the storage electrode from reacting with Si atoms during the fabrication process.

Un metodo per fabbricare le cellule di memoria a semiconduttore quali la memoria di accesso casuale dinamica (DRAM) e la memoria di accesso casuale ferroelectric (FRAM) con il contatto migliorato fra l'elettrodo del condensatore e sotto la zona del dispositivo. Include i seguenti punti principali di: (1) formare un primo strato dielettrico su una superficie della cialda; (2) formare almeno uno con l'apertura nel primo strato dielettrico; (3) formando un rutenio basato inserisce l'apertura diretta; e (4) formare un condensatore in contatto con il rutenio ha basato la spina. La spina basata rutenio può essere fatta del metallo del rutenio, dell'ossido conduttivo del rutenio, o di una pila di ossido del rutenio e di metallo conduttivi del rutenio. Il metodo permette che la cellula di memoria sia fatta senza l'esigenza di una barriera, che è richiesta per proteggere l'elettrodo di immagazzinaggio dalla reazione con gli atomi del silicone durante il processo di montaggio.