Methods of correcting for proximity effect are disclosed, wherein the methods account for intensity level variation across a field of exposure. The methods may be utilized to produce improved masks for reproducing a desired image on a target, often a semiconductor substrate. Furthermore, a system is disclosed to perform the correction methods. Masks and apparatus produced from such masks utilizing the correction methods are also disclosed.

Methoden des Behebens für Näheeffekt werden freigegeben, worin die Methoden Intensität waagerecht ausgerichtete Veränderung über auffangen der Belichtung erklären. Die Methoden können verwendet werden, um verbesserte Schablonen für das Reproduzieren eines gewünschten Bildes auf einem Ziel, häufig ein Halbleitersubstrat zu produzieren. Ausserdem wird ein System freigegeben, um die Korrekturmethoden durchzuführen. Schablonen und Apparat produzierten aus solchen Schablonen, welche die Korrekturmethoden verwenden, werden freigegeben auch.