A method of manufacturing an electrical interconnection of a semiconductor device produces an erosion protecting plug in a contact hole to protect a selected portion of an interlayer dielectric layer when the interlayer dielectric layer is being etched to form a recess for a conductive line. The contact hole is formed in the interlayer dielectric layer. The contact hole is filled with an organic material to form the erosion protecting plug. The organic material is a photoresist material or an organic polymer. A photoresist pattern is formed for exposing the erosion protecting plug and a portion of the interlayer dielectric layer adjacent to the erosion protecting plug. A recess which extends down to the contact hole is formed by etching the portion of the interlayer dielectric layer which is exposed by the photoresist pattern. The erosion protecting plug and the photoresist pattern are then removed. A conductive line filling the recess and a contact filling the contact hole are then formed.

Метод изготовлять электрическое соединение прибора на полупроводниках производит защищать размывания затыкает внутри отверстие контакта для того чтобы защитить выбранную часть слоя прослойка диэлектрического когда слой прослойка диэлектрический вытравляется для того чтобы сформировать гнездо для проводной линии. Сформировано отверстие контакта в слое диэлектрика прослойка. Отверстие контакта заполнено с органическим материалом для того чтобы сформировать штепсельную вилку размывания защищая. Органическим материалом будет материалом фоторезиста или органическим полимером. Картина фоторезиста сформирована для подвергать действию штепсельная вилка размывания защищая и часть слоя прослойка диэлектрического за штепсельной вилкой размывания защищая. Гнездо удлиняет вплоть до отверстие контакта сформирован путем вытравлять часть слоя прослойка диэлектрического подвергается действию картиной фоторезиста. Штепсельная вилка размывания защищая и картина фоторезиста после этого извлечутся. Проводная линия заполняя гнездо и контакт заполняя отверстие контакта после этого сформированы.