The disclosed semiconductor integrated circuit device can control the threshold thereof without adding any other supply voltages except a drive supply voltage and a ground supply voltage. The semiconductor integrated circuit device comprises: a substrate potential generating circuit operative on the basis of a control signal, for deepening a substrate bias by pumping out charges from a semiconductor substrate when activated, but for setting an output thereof to a high impedance when deactivated; and a switch circuit operative on the basis of the control signal and turned on when the substrate potential generating circuit is deactivated, to set potential of the semiconductor substrate to a supply potential, but turned off when the substrate potential generating circuit is activated.

Die freigegebene Halbleiterschaltungvorrichtung kann die Schwelle steuern, davon ohne irgendwelche anderen Versorgungsmaterial-Spannungen ausgenommen eine Antrieb Versorgungsmaterial-Spannung und eine Grund-Versorgungsmaterial-Spannung hinzuzufügen. Die Halbleiterschaltungvorrichtung enthält: ein möglicher erzeugender Stromkreisarbeiter des Substrates aufgrund von einem Steuersignal, denn Vertiefen einer Substratvorspannung durch das Pumpen aus Aufladungen von einem Halbleitersubstrat, wenn Sie aktiviert werden, aber für die Einstellung eines Ausganges davon auf einen hohen Widerstand, wenn Sie entaktiviert werden; und ein Schalterstromkreisarbeiter auf der Grundlage von das Steuersignal und geanmacht, wenn der mögliche erzeugende Stromkreis des Substrates entaktiviert wird, um Potential des Halbleitersubstrates auf ein Versorgungsmaterial-Potential einzustellen, aber abgestellt, wenn der mögliche erzeugende Stromkreis des Substrates aktiviert wird.