The invention relates to a II-VI semiconductor component in which, within a series of layers, there is provided at least one junction between a semiconductor layer containing BeTe and a semiconductor layer containing Se. A boundary layer between the semiconductor layer containing BeTe and the semiconductor layer containing Se is prepared in such a way that it forms a Be--Se configuration.

L'invention concerne un composant de semi-conducteur d'II-VI dans lequel, dans une série de couches, on fournit au moins une jonction entre une couche de semi-conducteur contenant BeTe et une couche de semi-conducteur contenant le Se. Une couche de frontière entre la couche de semi-conducteur contenant BeTe et la couche de semi-conducteur contenant le Se est préparée de telle manière qu'elle forme un être -- configuration de Se.