An integrated circuit ferroelectric capacitor is fabricated by forming on an integrated circuit substrate, a lower electrode adjacent the substrate, an upper electrode remote from the substrate and a ferroelectric layer therebetween, and forming a first low temperature oxide layer on the upper electrode, opposite the ferroelectric layer. The low temperature oxide may be annealed in oxygen. A second low temperature oxide layer may be formed on the first low temperature oxide layer, opposite the upper electrode, and the second low temperature oxide layer may be annealed in oxygen. The first and second low temperature oxide layers preferably comprise at least one of Plasma Enhanced Tetraethoxysilane (PE-TEOS), undoped silicon glass (USG) and Electron Cyclotron Resonance oxide (ECR-OX). An electrical contact to the lower electrode may be formed between the steps of forming a first low temperature oxide layer and a second low temperature oxide layer. The low temperature oxide layers act as dielectric layers that apply tensile stress to the ferroelectric layer.

Ein ferroelectric Kondensator der integrierten Schaltung wird fabriziert, indem man auf einem Schaltungsubstrat sich bildet, eine unterere angrenzende Elektrode das Substrat, therebetween eine obere Elektrode Direktübertragung vom Substrat und eine ferroelectric Schicht, und eine erste Oxidschicht der niedrigen Temperatur auf der oberen Elektrode, gegenüber von der ferroelectric Schicht bildend. Das Oxid der niedrigen Temperatur kann im Sauerstoff getempert werden. Eine zweite Oxidschicht der niedrigen Temperatur kann auf der ersten Oxidschicht der niedrigen Temperatur, gegenüber von der oberen Elektrode gebildet werden, und die zweite Oxidschicht der niedrigen Temperatur kann im Sauerstoff getempert werden. Die ersten und zweiten Oxidschichten der niedrigen Temperatur enthalten vorzugsweise ein mindestens von Plasma erhöhtem Tetraethoxysilane (PE-TEOS), vom undoped Silikonglas (USG) und vom Elektroncyclotron-Resonanzoxid (ECR-OX). Ein elektrischer Kontakt zur untereren Elektrode kann zwischen den Schritten der Formung einer ersten Oxidschicht der niedrigen Temperatur und der zweiten Oxidschicht der niedrigen Temperatur gebildet werden. Die Oxidschichten der niedrigen Temperatur dienen als dielektrische Schichten, die dehnbaren Druck an der ferroelectric Schicht anwenden.