A method of manufacturing a semiconductor device, comprises the steps of: forming a first insulating film on a first substrate; forming a second insulating film on the first insulating film; forming an amorphous silicon film on the second insulating film; holding a metal element that promotes the crystallization of silicon in contact with a surface of the amorphous silicon film; crystallizing the amorphous silicon film through a heat treatment to obtain a crystalline silicon film; forming a thin-film transistor using the crystalline silicon film; forming a sealing layer that seals the thin-film transistor; bonding a second substrate having a translucent property to the sealing layer; and removing the first insulating film to peel off the first substrate.

Un metodo di produzione del dispositivo a semiconduttore, contiene i punti: formare una prima pellicola isolante su un primo substrato; formare una seconda pellicola isolante sulla prima pellicola isolante; formare una pellicola amorfa del silicone sulla seconda pellicola isolante; tenuta un elemento del metallo che promuove la cristallizzazione di silicone in contatto con una superficie della pellicola amorfa del silicone; cristallizzazione della pellicola amorfa del silicone con un trattamento termico per ottenere una pellicola cristallina del silicone; formare un transistore di sottili pellicole usando la pellicola cristallina del silicone; formando uno strato di sealing che sigilla il transistore di sottili pellicole; legando un secondo substrato che ha una proprietà traslucida allo strato di sealing; e rimuovendo la prima pellicola isolante alla buccia fuori del primo substrato.