A nonlinear optical silica material mainly consisting of SiO.sub.2 --GeO.sub.2 to which hydrogen or halogen element X is added. Oxygen bonded to Ge contained in the nonlinear optical silica material is replaced by H or X, and one Ge has two Ge--O bonds and one Ge--H (or Ge--X) bond at Ge.multidot. points where nonlinearity is exhibited in the silica material. The Ge--H (or Ge--X) bond does not relate to a crystal network, so that when the polarity is oriented in order to exhibit nonlinearity at Ge.multidot., an electric field to be applied can be lowered, and when a optical semiconductor hybrid element or the like is produced, other portions of the semiconductor elements can be prevented from being broken or degraded in performance. An insulating film can be interposed between the semiconductor substrate and the nonlinear optical silica film to prevent undesired impurities from dispersing into the semiconductor substrate and other elements and preventing a defect from being caused in the crystal of the substrate due to the silica film.

Un materiale ottico non lineare del silicone pricipalmente che consiste di SiO.sub.2 -- GeO.sub.2 a cui l'elemento dell'alogeno o dell'idrogeno X è aggiunto. L'ossigeno ha legato al GE contenuto nel materiale ottico non lineare del silicone è sostituito da H o dalla X ed un GE ha due GE -- legami della O ed un GE -- H (o GE -- X) legame ai punti di Ge.multidot. in cui la non linearità è esibita nel materiale del silicone. I GE -- H (o GE -- X) il legame non si riferisce ad una rete di cristallo, di modo che quando la polarità è orientata per esibire la non linearità a Ge.multidot., un campo elettrico da applicare può essere abbassato e quando un elemento ibrido a semiconduttore ottico e simili è prodotto, altre parti degli elementi a semiconduttore possono essere evitate essere rotto o degradato nelle prestazioni. Una pellicola isolante può essere interposta fra il substrato a semiconduttore e la pellicola ottica non lineare del silicone per impedire le impurità indesiderate la dispersione nel substrato a semiconduttore ed in altri elementi ed impedire un difetto essere causato nel cristallo del substrato dovuto la pellicola del silicone.