An improved and novel fabrication method for a magnetic element, and more particularly a magnetic element (10) including a first electrode (14) , a second electrode (18) and a spacer layer (16). The first electrode (14) includes a fixed ferromagnetic layer (26) having a thickness t.sub.1. A second electrode (18) is included and comprises a free ferromagnetic layer (28) having a thickness t.sub.2. A spacer layer (16) is located between the fixed ferromagnetic layer (26) and the free ferromagnetic (28) layer, the spacer layer (16) having a thickness t.sub.3, where 0.25t.sub.3 Μια βελτιωμένη και νέα μέθοδος επεξεργασίας για ένα μαγνητικό στοιχείο, και ειδικότερα ένα μαγνητικό στοιχείο (10) συμπεριλαμβανομένου ενός πρώτου ηλεκτροδίου (14), ενός δεύτερου ηλεκτροδίου (18) και ενός στρώματος πλήκτρων διαστήματος (16). Το πρώτο ηλεκτρόδιο (14) περιλαμβάνει ένα σταθερό σιδηρομαγνητικό στρώμα (26) που έχει ένα πάχος t.sub.1. Ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο (18) συμπεριλαμβάνεται και περιλαμβάνει ένα ελεύθερο σιδηρομαγνητικό στρώμα (28) που έχει ένα πάχος t.sub.2. Ένα στρώμα πλήκτρων διαστήματος (16) βρίσκεται μεταξύ του σταθερού σιδηρομαγνητικού στρώματος (26) και του ελεύθερου σιδηρομαγνητικού (28) στρώματος, το στρώμα πλήκτρων διαστήματος (16) που έχει ένα πάχος t.sub.3, όπου 0.25t.sub.3

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Nonvolatile ferroelectric memory device with row redundancy circuit and method for relieving failed address thereof

> Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

> (none)

~ 00033