Each pair of gate lines GL are arranged aside a corresponding one of rows of pixel electrodes arranged in a matrix form, so as to sandwich pixel electrodes in the direction of columns, whereas each pair of TFTs are arranged to a sandwich corresponding one of the pixel electrodes, and each of data lines DL is arranged aside a corresponding one of columns of pixel electrodes. TFTs are connected to the pixel electrodes and to the gate lines GL so that the pixel electrodes of one row are selected when two of the gate lines GL sandwiching the pixel electrodes are selected. An end of a current path of each TFT is connected to the data line DL. When a pair of TFTs sandwiching one pixel electrode are simultaneously turned on, large current is supplied to the pixel electrode through the data line DL. Source electrode of TFT and source electrode of its proximate (adjacent) thin film transistor are formed by pattering the same metal layer, and share one current path connected to the data line DL. A gate electrode of each of the TFTs is formed in integration with a part of the gate line GL.

Chaque paire de lignes GL de porte sont arrangées de côté correspondant de rangées des électrodes de Pixel disposées sous une forme de matrice, afin de serrer des électrodes de Pixel dans la direction des colonnes, tandis que chaque paire de TFTs sont arrangées à un sandwich le correspondance des électrodes de Pixel, et chacune de lignes de données DL soit arrangé de côté correspondante de colonnes des électrodes de Pixel. TFTs sont reliés aux électrodes de Pixel et aux lignes GL de porte de sorte que les électrodes de Pixel d'une rangée soient choisies quand deux des lignes GL de porte serrant les électrodes de Pixel sont choisis. Une extrémité d'un chemin courant de chaque TFT est reliée à la ligne de données DL. Quand une paire de TFTs serrant une électrode de Pixel sont simultanément allumées, le grand courant est fourni à l'électrode de Pixel par la ligne de données DL. L'électrode de source de TFT et l'électrode de source de son transistor (adjacent) proche de la couche mince sont constituées en crépitant la même couche en métal, et partagent un chemin courant relié à la ligne de données DL. Une électrode de porte de chacun du TFTs est formée dans l'intégration avec une partie de la ligne GL de porte.