An optoelectronic device with a Group III Nitride active layer is disclosed that comprises a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode with a Group III nitride active layer; a buffer structure selected from the group consisting of gallium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode; and a stress-absorbing structure comprising a plurality of predetermined stress-relieving areas within the crystal structure of the buffer structure, so that stress-induced cracking that occurs in the buffer structure occurs at predetermined areas rather than elsewhere in the buffer structure.

Um dispositivo optoelectronic com uma camada ativa do nitride do grupo III é divulgado que compreenda uma carcaça do carbide do silicone; um diodo optoelectronic com uma camada ativa do nitride do grupo III; uma estrutura do amortecedor selecionada do nitride consistindo do gallium do grupo e do nitride do gallium do indium entre a carcaça do carbide do silicone e o diodo optoelectronic; e uma estrutura forç-absorvendo que compreende um plurality de áreas forç-aliviando predeterminadas dentro da estrutura de cristal da estrutura do amortecedor, de modo que stress-induced rachar isso ocorra na estrutura do amortecedor ocorre em áreas predeterminadas melhor que em outra parte na estrutura do amortecedor.