A two etchant etch method for etching a layer that is part of a masked structure is described. The method is useful, for example, in microelectrical mechanical system (MEMS) applications, and in the fabrication of integrated circuits and other electronic devices. The method can be used advantageously to optimize a plasma etch process capable of etching strict profile control trenches with 89.degree.+/-1.degree. sidewalls in silicon layers formed as part of a mask structure where the mask structure induces variations in etch rate. The inventive two etchant etch method etches a layer in a structure with a first etchant etch until a layer in a fastest etching region is etched. The layer is then etched with a second etchant until a layer in a region with a slowest etch rate is etched. A second etchant may also be selected to provide sidewall passivation and selectivity to an underlying layer of the structure.

Um método etchant gravura em àgua forte dois para gravar uma camada que seja parte de uma estrutura mascarada é descrito. O método é útil, para o exemplo, em aplicações mecânicas microelectrical do sistema (MEMS), e na fabricação de circuitos integrados e de outros dispositivos eletrônicos. O método pode ser usado vantajosamente optimize um processo gravura em àgua forte do plasma capaz de trincheiras estritas do controle do perfil gravura a água-forte com os sidewalls 89.degree.+/-1.degree. nas camadas do silicone dadas forma como a parte de uma estrutura da máscara onde a estrutura da máscara induza variações na taxa gravura em àgua forte. Duas gravura em àgua forte etchant inventive do método gravura em àgua forte um a camada em uma estrutura com primeira gravura em àgua forte etchant até uma camada em uma região a mais rápida gravura a água-forte são gravadas. A camada está gravada então com um segundo etchant até que uma camada em uma região com uma taxa a mais lenta gravura em àgua forte esteja gravada. Um segundo etchant pode também ser selecionado para fornecer o passivation e o selectivity do sidewall a uma camada subjacente da estrutura.