The invention provides an electrode material having the low contact resistance against a III-V group compound semiconductor, thereby realizing a light emitting device having a high luminance and driven at low voltages. The electrode material of the invention is applied to a III-V group compound semiconductor, which is expressed as a general formula of In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z N, where x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, and 0.ltoreq.z.ltoreq.1, and doped with p-type impurities. The electrode material comprises an alloy of Au and at least one metal selected from the group consisting of Mg and Zn.

Η εφεύρεση παρέχει ένα υλικό ηλεκτροδίων που έχει τη χαμηλή αντίσταση επαφών ενάντια σε έναν IIIV σύνθετο ημιαγωγό ομάδας, με αυτόν τον τρόπο πραγματοποιώντας μια ελαφριά εκπέμποντας συσκευή που έχει μια υψηλή φωτεινότητα και που οδηγεί στις χαμηλές τάσεις. Το υλικό ηλεκτροδίων της εφεύρεσης εφαρμόζεται σε έναν IIIV σύνθετο ημιαγωγό ομάδας, ο οποίος εκφράζεται ως γενικός τύπος In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z ν, όπου x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, και 0.ltoreq.z.ltoreq.1, και ναρκωμένος με τις ακαθαρσίες π-τύπων. Το υλικό ηλεκτροδίων περιλαμβάνει ένα κράμα του Au και τουλάχιστον ενός μετάλλου που επιλέγονται από την ομάδα που αποτελείται από το MG και το ZN.