To provide a semiconductor device utilizing a semiconductor film having a high crystallinity by a production process having a high mass productivity. Upon crystallizing an amorphous silicon film 106, germanium is used as a catalyst element for accelerating the crystallization. A heat treatment is conducted in a condition in that a germanium film 107 is formed on the amorphous silicon film 106, and thus a polysilicon film 108 is obtained by the catalytic function of germanium. The polysilicon film 108 thus obtained has crystallinity that can be substantially regarded as a single crystal.

Para fornecer um dispositivo de semicondutor que utiliza um semicondutor filme ter um crystallinity elevado por um processo de produção que tem uma produtividade da massa elevada. Em cima de cristalizar uma película amorfa 106 do silicone, o germânio é usado como um elemento do catalizador acelerando a cristalização. Um tratamento de calor é conduzido em uma circunstância que uma película 107 do germânio está dada forma na película amorfa 106 do silicone, e uma película 108 do polysilicon é obtida assim pela função catalytic do germânio. A película 108 do polysilicon obtida assim tem o crystallinity que pode substancialmente ser considerado como um único cristal.