A method for forming an MIM capacitor, comprising the following steps. A semiconductor structure having an exposed lower metal damascene is provided. A capacitor layer is formed over the semiconductor structure and the exposed lower metal damascene. An organic etch stop layer is formed upon the capacitor layer. An IMD layer is formed upon the organic etch stop layer. The IMD layer is etched with a first etch highly selective to the IMD layer as compared to the organic etch stop layer, to form an IMD trench exposing a portion of the organic etch stop layer. The exposed portion of the organic etch stop layer is etched with a second etch method highly selective to the exposed portion of the organic etch stop layer as compared to the capacitor layer, to expose a portion of the capacitor layer. An upper metal damascene is formed upon the exposed portion of the capacitor layer and within the IMD trench to complete formation of the MIM capacitor.

Eine Methode für die Formung eines Kondensators MIM, die folgenden Schritte enthalten. Eine Halbleiterstruktur, die einen herausgestellten untereren Metalldamascene hat, wird zur Verfügung gestellt. Eine Kondensatorschicht wird über der Halbleiterstruktur und dem herausgestellten untereren Metalldamascene gebildet. Eine organische Ätzungendschicht wird nach der Kondensatorschicht gebildet. Eine IMD Schicht wird nach der organischen Ätzungendschicht gebildet. Die IMD Schicht wird mit einer ersten Ätzung geätzt, die zur IMD Schicht verglichen mit der organischen Ätzungendschicht, um einen IMD Graben zu bilden in hohem Grade vorgewählt ist, der einen Teil der organischen Ätzungendschicht herausstellt. Der herausgestellte Teil der organischen Ätzungendschicht wird mit einer zweiten Ätzungmethode geätzt, die zum herausgestellten Teil der organischen Ätzungendschicht verglichen mit der Kondensatorschicht, um einen Teil der Kondensatorschicht herauszustellen in hohem Grade vorgewählt ist. Ein oberer Metalldamascene wird nach dem herausgestellten Teil der Kondensatorschicht und innerhalb des IMD Grabens gebildet, um Anordnung des Kondensators MIM durchzuführen.