A method of manufacturing a liquid crystal display device driving with fringe field between counter and pixel electrodes, by the following steps. First, by depositing a first transparent conductive layer on a transparent insulating substrate and etching the first transparent conductive layer, thereby forming a counter electrode. Second, by forming a first insulating layer as a protection layer on the substrate formed on the counter electrode. Third, by depositing a first metal layer on the first insulating layer and etching the first metal layer, thereby forming a gate bus line and a common electrode line, the common electrode line being in contact with the counter electrode. Fourth, by forming a gate insulating layer, an amorphous silicon layer and a second insulating layer on the substrate formed on the gate bus line and the common electrode line. Fifth, by etching the second insulating layer to form an etch stopper. Sixth, by forming a doped amorphous silicon layer and a second metal layer on the substrate formed on the etch stopper. Seventh, by etching the second metal layer to form source/drain and a data bus line. Eighth, by etching the doped amorphous silicon layer and the amorphous silicon layer using the source/drain as a mask to form an ohmic layer and a channel layer. Ninth, by forming a passivation layer on the overall substrate formed on the ohmic layer and the channel layer. Tenth, by etching the passivation layer to open a pad portion of the gate bus line, a portion of the data bus line and the source. Finally, by depositing a second transparent conductive layer on the passivation and etching the second transparent conductive layer, thereby forming a pixel electrode, the pixel electrode being in contact with the opened source, the data bus line, and the pad portion of the gate bus line.

Een methode om een apparaat dat van de vloeibare kristalvertoning te vervaardigen met randgebied tussen teller en pixelelektroden, door de volgende stappen drijft. Eerst, door een eerste transparante geleidende laag op een transparant isolerend substraat te deponeren en de eerste transparante geleidende laag te etsen, daardoor vormt een tegenelektrode. Ten tweede, door een eerste het isoleren laag als bescherming te vormen vormde een laag zich op het substraat op de tegenelektrode. Ten derde, door een eerste metaallaag op de eerste het isoleren laag te deponeren en het etsen van de eerste metaallaag, daardoor vormt een lijn van de poortbus en een gemeenschappelijke elektrodenlijn, de gemeenschappelijke elektrodenlijn die in contact met de tegenelektrode zijn. Ten vierde, door een poort het isoleren laag te vormen, vormden een amorfe siliciumlaag zich en een tweede het isoleren laag op het substraat op de lijn van de poortbus en de gemeenschappelijke elektrodenlijn. Vijfde, door de tweede het isoleren laag te etsen om te vormen etst kurk. Zesde, door een gesmeerde amorfe siliciumlaag te vormen en een tweede metaallaag op het substraat dat op wordt gevormd etsen kurk. Zevende, door de tweede metaallaag te etsen om bron/afvoerkanaal en een lijn van de gegevensbus te vormen. Achtste, door de gesmeerde amorfe siliciumlaag en de amorfe siliciumlaag te etsen die de bron/het afvoerkanaal gebruiken als masker om een ohmic laag en een kanaallaag te vormen. Negende, door een passiveringslaag op het algemene substraat te vormen dat op de ohmic laag en de kanaallaag wordt gevormd. Tiende, door de passiveringslaag te etsen om een stootkussengedeelte van de lijn van de poortbus, een gedeelte van de lijn van de gegevensbus en de bron te openen. Tot slot door een tweede transparante geleidende laag op de passivering te deponeren en de tweede transparante geleidende laag te etsen, daardoor vormt een pixelelektrode, de pixelelektrode in contact met de geopende bron zijn, de lijn van de gegevensbus, en het stootkussengedeelte die van de lijn van de poortbus.