A method for fabricating a semiconductor memory device is provided which can omit a fabricating step of removing a seed layer. The method for fabricating a semiconductor memory device includes the steps of a) providing a semiconductor structure, wherein the semiconductor structure has an insulating layer formed on a semiconductor substrate; b) forming a seed layer on an insulating layer covering the semiconductor substrate; c) forming a sacrifice layer on the seed layer; d) selectively etching the sacrifice layer to expose the seed layer, thereby defining an opening; e) forming a lower electrode layer on the seed layer disposed within the opening; f) removing the sacrifice layer to expose the lower electrode and a portion of the seed layer not covered by the lower electrode; g) oxidizing the exposed portion of the seed layer to form an insulating layer; and h) sequentially forming a ferroelectric layer and an upper electrode on the lower electrode.

Μια μέθοδος για μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών παρέχεται που μπορεί να παραλείψει ένα κατασκευάζοντας βήμα της αφαίρεσης ενός στρώματος σπόρου. Η μέθοδος για μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών περιλαμβάνει τα βήματα α) παρέχοντας μιας δομής ημιαγωγών, όπου η δομή ημιαγωγών διαμορφώνει ένα στρώμα μόνωσης σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών β) διαμόρφωση ενός στρώματος σπόρου σε ένα στρώμα μόνωσης που καλύπτει το υπόστρωμα ημιαγωγών γ) διαμόρφωση ενός στρώματος θυσίας στο στρώμα σπόρου Δ) επιλεκτικά χαράζοντας το στρώμα θυσίας για να εκθέσει το στρώμα σπόρου, με αυτόν τον τρόπο καθορίζοντας ένα άνοιγμα ε) διαμορφώνοντας ένα χαμηλότερο στρώμα ηλεκτροδίων στο στρώμα σπόρου που διατίθεται μέσα στο άνοιγμα φ) αφαιρώντας το στρώμα θυσίας για να εκθέσει το χαμηλότερο ηλεκτρόδιο και μια μερίδα του στρώματος σπόρου που δεν καλύπτεται από το χαμηλότερο ηλεκτρόδιο γ) οξείδωση της εκτεθειμένης μερίδας του στρώματος σπόρου για να διαμορφώσει ένα στρώμα μόνωσης και χ) διαδοχικά διαμορφώνοντας ένα σιδηροηλεκτρικό στρώμα και ένα ανώτερο ηλεκτρόδιο στο χαμηλότερο ηλεκτρόδιο.