It is important to ensure good selectivity of a single magnetic tunnel junction storage cell within a memory array without affecting nearby storage cells. For this purpose, this memory array of storage cells preferably comprises a) an array of electrically conducting bit lines and electrically conducting word lines which form intersections therebetween, b) a storage cell disposed at each of said intersections, each storage cell comprising at least one reversible magnetic region or layer characterized by a magnetization state which can be reversed by applying thereto a selected external magnetic field, said reversible magnetic layer comprising a material whose magnetization state is more easily reversed upon a change in the temperature thereof, and c) a temperature change generator for changing the temperature of said reversible magnetic layer of only a selected one of said array of storage cells at any moment. To select a cell, it is preferable to select a cell by using a brief pulse of tunnelling current between the intersecting bit and word lines at that cell in order to provide sufficient Joule heating to facilitate a change in the magnetization state of its reversible magnetic layer, which preferably comprises a ferrimagnetic material.

È importante accertare la buona selettività di singola cellula magnetica di immagazzinaggio della giunzione del traforo all'interno di un allineamento di memoria senza interessare alle le cellule vicine di immagazzinaggio. A questo fine, questo allineamento di memoria delle cellule di immagazzinaggio contiene preferibilmente a) un allineamento la punta elettricamente di condotta si allinea e le linee elettricamente di condotta di parola che formano le intersezioni therebetween, b) una cellula di immagazzinaggio si sono disposte di a ciascuna delle intersezioni dette, ogni cellula di immagazzinaggio che contiene almeno un regione o strato magnetica rovesciabile ha caratterizzato da una magnetizzazione dichiara che può essere invertita applicando a ciò un campo magnetico esterno selezionato, strato magnetico rovesciabile detto che contiene un materiale di cui la magnetizzazione dichiara più facilmente è invertita su un cambiamento nella temperatura di ciò e c) un generatore del mutamento di temperatura per cambiare la temperatura dello strato magnetico rovesciabile detto di soltanto selezionato dell'allineamento detto di immagazzinaggio cellule in qualsiasi momento. Per selezionare una cellula, è preferibile selezionare una cellula usando un breve impulso della corrente di traforo fra la punta d'intersezione e le linee di parola a quella cellula per fornire il heating sufficiente di joule per facilitare un cambiamento nella magnetizzazione dichiarano del relativo strato magnetico rovesciabile, che contiene preferibilmente un materiale ferrimagnetic.