In a magnetic memory of the present invention which includes a magnetic memory element composed of at least a first ferromagnetic layer, a non-magnetic layer and a second ferromagnetic layer stacked, a third ferromagnetic layer is provided via at least one conductor layer, on one side of the second ferromagnetic layer the other side being closer to the non-magnetic layer. The magnetic memory elements can thereby be provided via a smaller interval in-between, thereby realizing a magnetic memory having higher density than a conventional magnetic memory. Further, the first conductor layer for supplying a current to provide magnetization information can be disposed in the vicinity of the second ferromagnetic layer as a storage layer, thereby providing a magnetic memory capable of generating magnetic poles sufficient to reverse magnetization even by a small current, and low power consumption.

Dans une mémoire magnétique de la présente invention qui inclut un élément magnétique de mémoire a composé au moins de première couche ferromagnétique, une couche non magnétique et une deuxième couche ferromagnétique empilée, une troisième couche ferromagnétique est fournie par l'intermédiaire au moins d'une couche de conducteur, d'un côté de la deuxième couche ferromagnétique l'autre côté étant plus près de la couche non magnétique. Les éléments magnétiques de mémoire peuvent être fournis de ce fait par l'intermédiaire d'un plus petit intervalle dans l'intervalle, réalisant de ce fait une mémoire magnétique ayant une densité plus élevée qu'une mémoire magnétique conventionnelle. De plus, la première couche de conducteur pour fournir un courant pour fournir des informations de magnétisation peut être disposée à proximité de la deuxième couche ferromagnétique comme couche de stockage, fournissant de ce fait une mémoire magnétique capable de produire des pôles magnétiques suffisamment pour renverser la magnétisation même par un petit courant, et la basse puissance d'énergie.