Disclosed is a method capable of producing, at a high throughput, a large-area FPD such as a liquid crystal display panel or O-ELD having a horizontal scanning circuit portion including a TFT characteristic having a high drive current (a high mobility), and a pixel portion and a vertical scanning circuit portion each of which contains crystal grains excellent in uniformity. The method includes the steps of: irradiating a location, in which a horizontal scanning circuit equivalent portion is to be formed, of an amorphous silicon thin film panel to be crystallized with 10 to 30 shots of a laser beam having a uniform energy density distribution and having a rectangular shape of a long-side larger than a width of the amorphous silicon thin film panel and a short-side larger than a short-side of the horizontal scanning circuit equivalent portion, in a state in which a relative positional relationship between the amorphous silicon thin film panel and the laser beam is fixed; and irradiating a location, in which a vertical scanning circuit portion and a pixel portion are to be formed, of the amorphous silicon thin film panel with the laser beam while moving the laser beam relative to the amorphous silicon thin film panel along the length direction of the amorphous silicon thin film panel.

Révélée est une méthode capable de produire, à une sortie élevée, d'un grand-secteur FPD tel qu'un panneau d'affichage à cristaux liquides ou d'O-ELD ayant une partie horizontale de circuit de balayage comprenant un TFT caractéristique ayant un courant élevé d'entraînement (une mobilité élevée), et une partie de Pixel et une partie verticale de circuit de balayage dont chacune contient les grains en cristal excellents dans l'uniformité. La méthode inclut les étapes de : irradiant un endroit, dans lequel une partie équivalente de circuit horizontal de balayage doit être formée, d'un panneau amorphe de la couche mince de silicium à cristalliser avec 10 à 30 projectiles d'un rayon laser ayant une distribution uniforme de densité d'énergie et ayant une forme rectangulaire d'un long-côté plus grand qu'une largeur du panneau amorphe de la couche mince de silicium et d'un court-côté plus grands qu'un court-côté de la partie équivalente de circuit horizontal de balayage, dans un état dans lequel un rapport de position relatif entre le panneau amorphe de la couche mince de silicium et le rayon laser est fixe ; et irradiant un endroit, dans lequel une partie verticale de circuit de balayage et une partie de Pixel doivent être formées, du panneau amorphe de la couche mince de silicium avec le rayon laser tout en déplaçant le rayon laser relativement au panneau amorphe de la couche mince de silicium le long de la direction de longueur du panneau amorphe de la couche mince de silicium.