Within: (1) a method for purifying a metal oxide layer; and (2) a method for forming with enhanced purity a metal oxide layer, there is employed an irradiation of either: (1) a metal oxide layer; or (2) a substrate in the presence of at least one of an oxidant and a metal source material, such as to either: (1) reduce a concentration of a contaminant material within a metal oxide base material from which is formed a metal oxide layer; or (2) inhibit in a first instance formation of a contaminant material within a metal oxide layer. The metal oxide layer having incorporated therein the reduced concentration of contaminant material is particularly useful as a capacitive dielectric layer within a capacitive device within a microelectronic fabrication.

Dentro: (1) um método para purifying uma camada do óxido de metal; e (2) um método para dar forma com purity realçado um à camada do óxido de metal, é empregado lá um irradiation de qualquer um: (1) um a camada do óxido de metal; ou (2) uma carcaça na presença ao menos de um de um oxidant e de um material de fonte do metal, como a qualquer um: (1) reduzem uma concentração de um material do contaminador dentro de um material baixo de óxido de metal de que é dada forma uma camada do óxido de metal; ou (2) inibem em uma primeira formação do exemplo de um material do contaminador dentro de uma camada do óxido de metal. A camada do óxido de metal que incorpora nisso a concentração reduzida do material do contaminador é particularmente útil como uma camada dieléctrica capacitiva dentro de um dispositivo capacitivo dentro de uma fabricação microelectronic.