A process for making a two-component plasma-deposited photo-oxidizable organosilicon film on a substrate from a silicon donor and an organic precursor. Subjecting selected areas of the film to photo-oxidation allows selective etching of the non-photo-oxidized or photo-oxidized areas of the film. The process is used as a resist for patterning substrates in the fabrication of solid-state devices. It is of particular use in patterning heat sensitive substrates and accomplishing microlithography in a closed chamber process at other than atmospheric pressure. The process allows photo-oxidation with ultraviolet light at wavelengths closer to visible light than that for conventional photoresists. The processed film exhibits selective wetting properties between the non-photo-oxidized and photo-oxidized areas of the film.

Um processo para fazer um dois-componente plasma-depositou a película foto-photo-oxidizable do organosilicon em uma carcaça de um doador do silicone e de um precursor orgânico. Sujeitar áreas selecionadas da película ao photo-oxidation permite gravura a água-forte seletiva das áreas non-foto-oxidadas ou foto-oxidadas da película. O processo é usado como resistir modelando carcaças na fabricação de dispositivos solid-state. É do uso particular em carcaças sensíveis modelando do calor e microlithography realizar em um processo closed da câmara à excepção da pressão atmosférica. O processo permite o photo-oxidation com luz ultravioleta em wavelengths mais perto da luz visível do que aquele para photoresists convencionais. A película processada exibe propriedades seletivas da molhadela entre as áreas non-foto-oxidadas e foto-oxidadas da película.