The present application provides a magneto-resistive element excellent in
symmetry of playback waveforms. The basic construction of the present
application is as follows. That is, a magnetic layer 13, an insulating
layer 14, and a magnetic layer 15 are laminated; a power supply 18 for
applying a voltage between two magnetic layers is provided; an
anti-ferromagnetic layer 16 is laminated on the magnetic layer 15,
direction of which magnetization is substantially parallel or
counter-parallel with a detecting direction of an external magnetic field,
and when the external magnetic field is not present, a power supply 17 for
causing a current to flow in a non-magnetic metal layer 12 and in an inner
direction of a layer surface thereof is provided so that a direction of
magnetization of the magnetic layer 13 is substantially at right angles to
the detecting direction of the external magnetic field; and there is
provided a signal detector 19 for detecting a change of current tunneling
through an insulating layer when the direction of magnetization of the
magnetic layer 13 is changed by the external magnetic field.
L'application actuelle fournit un élément magnétorésistant excellent dans la symétrie des formes d'onde de playback. La construction de base de l'application actuelle est comme suit. C'est-à-dire, une couche magnétique 13, une couche de isolation 14, et une couche magnétique 15 sont stratifiées ; une alimentation d'énergie 18 pour appliquer une tension entre deux couches magnétiques est fournie ; une couche anti-ferromagnétique 16 est stratifiée sur la couche magnétique 15, dont la direction magnétisation est essentiellement parallèle ou compteur-parallèle avec une direction détectante d'un champ magnétique externe, et quand le champ magnétique externe n'est pas présent, une alimentation d'énergie 17 pour faire entrer un courant dans une couche non magnétique 12 en métal et dans une direction intérieure d'une surface de couche en est fournie de sorte qu'une direction de la magnétisation de la couche magnétique 13 soit essentiellement perpendiculaire à la direction détectante du champ magnétique externe ; et on donne un détecteur 19 de signal pour détecter un changement du perçage d'un tunnel courant par une couche de isolation quand la direction de la magnétisation de la couche magnétique 13 est changée par le champ magnétique externe.
