In an active matrix display device, a circuit including at least five thin film transistors (TFTs) which are provided with an approximately M-shaped semiconductor region for a single pixel electrode and gate lines and a capacitances line which cross the M-shaped semiconductor region, is used as a switching element. Each of the TFT have offset regions and lightly doped drain (LDD) regions. Then, by supplying a selection signal to the gate lines, the TFTs are operated, thereby writing data to the pixel, while a suitable voltage is supplied to the capacitance line, a channel is formed thereunder and it becomes a capacitor. Thus the amount of discharge from the pixel electrode is reduced by the capacitor.

Em um dispositivo de exposição ativo da matriz, um circuito including ao menos cinco transistor da película fina (TFTs) que são fornecidos com uma região de semicondutor aproximadamente M-dada forma para uma únicas as linhas do elétrodo e da porta do pixel e linha das capacidades que cruzam a região de semicondutor M-dada forma, é usado como um elemento do switching. Cada um do TFT deslocou regiões e regiões levemente doped do dreno (LDD). Então, fornecendo um sinal da seleção à porta alinha, o TFTs são operados, desse modo escrevendo dados ao pixel, quando uma tensão apropriada for fornecida à linha da capacidade, uma canaleta é dado forma debaixo disso e transforma-se um capacitor. Assim a quantidade de descarga do elétrodo do pixel é reduzida pelo capacitor.