A method of fabricating a light emitting device includes providing a light emitting diode that emits primary light, and locating proximate to the light emitting diode a (Sr.sub.1-u-v-x Mg.sub.u Ca.sub.v Ba.sub.x)(Ga.sub.2-y-z Al.sub.y In.sub.z S.sub.4):Eu.sup.2+ phosphor material capable of absorbing at least a portion of the primary light and emitting secondary light having a wavelength longer than a wavelength of the primary light. The composition of the phosphor material can be selected to determine the wavelengths of the secondary light. In one embodiment, the light emitting device includes the phosphor material dispersed as phosphor particles in another material disposed around the light emitting diode. In another embodiment, the light emitting device includes the phosphor material deposited as a phosphor film on at least one surface of the light emitting diode.

Un método de fabricar un dispositivo que emite ligero incluye el abastecimiento de un diodo electroluminoso que emita la luz primaria, y localizar próximo al diodo electroluminoso a (material del fósforo de Sr.sub.1-u-v-x Mg.sub.u Ca.sub.v Ba.sub.x)(Ga.sub.2-y-z Al.sub.y In.sub.z S.sub.4):Eu.sup.2+ capaz de absorber por lo menos una porción de la luz primaria y de emitir la luz secundaria que tiene una longitud de onda más de largo que una longitud de onda de la luz primaria. La composición del material del fósforo se puede seleccionar determinar las longitudes de onda de la luz secundaria. En una encarnación, el dispositivo que emite ligero incluye el material del fósforo dispersado como partículas del fósforo en otro material dispuesto alrededor del diodo electroluminoso. En otra encarnación, el dispositivo que emite ligero incluye el material del fósforo depositado como película del fósforo en por lo menos una superficie del diodo electroluminoso.