A method and apparatus for planarizing a microelectronic substrate. In one embodiment, the apparatus can include a fixed abrasive polishing pad having metal abrasive elements selected to be a compound of metal in the substrate. Alternatively, the metal abrasive elements can include a refractory metal where the substrate includes a refractory metal. Where the substrate includes two metals, the abrasive elements can be selected to planarize the first metal at a rate that is less than approximately twice the rate at which it planarizes the second metal. A single fixed abrasive polishing pad and a single planarizing liquid can be used to planarize both metals.

Eine Methode und ein Apparat für das Planarizing ein Mikroelektronisches Substrat. In einer Verkörperung kann der Apparat eine örtlich festgelegte abschleifende Polierauflage mit einschließen, die Metallabschleifende Elemente vorwählen läßt, um ein Mittel des Metalls im Substrat zu sein. Wechselweise können die Metalabschleifenden Elemente ein refraktäres Metall mit einschließen, in dem das Substrat ein refraktäres Metall miteinschließt. Wo das Substrat zwei Metalle miteinschließt, können die abschleifenden Elemente vorgewählt werden planarize das erste Metall mit einer Rate, die kleiner als ungefähr zweimal die Rate ist, an der es das zweite Metall planarizes. Eine einzelne örtlich festgelegte abschleifende Polierauflage und eine einzelne planarizing Flüssigkeit können benutzt werden planarize beide Metalle.