The present invention relates to organic anti-reflective coating polymers suitable for use in manufacturing a semiconductor device using a photolithography process for forming ultrafine-patterns with a 193 nm ArF beam, and preparation methods therefor. Anti-reflective coating polymers of the present invention contain a monomer having a phenyl group and amide linkage with high light absorbency at the 193 nm wavelength. When the polymers of the present invention are used in an anti-reflective coating in a photolithography process for forming ultrafine-patterns, the polymers eliminate the standing waves caused by changes in the thickness of the photoresist layer, by the spectroscopic property of the lower layers of the semiconductor wafer and by changes in CD due to diffractive and reflective light originating from the lower layer, thereby resulting in the stable formation of ultrafine-patters suitable for 64 M, 256 M, 1 G, 4 G and 16 G DRAM semiconductor devices and a great improvement in the production yield. The present invention also relates to anti-reflective compositions containing these polymers, anti-reflective coatings formed from these compositions and semiconductor devices containing these anti-reflective coatings, as well as preparation methods therefor.

La présente invention concerne les polymères enduisants anti-r3fléchissants organiques appropriés pour l'usage en fabriquant un dispositif de semi-conducteur en utilisant un processus de photolithographie pour former des ultrafine-modèles avec un faisceau de 193 nm ArF, et les méthodes de préparation pour cette fin. les polymères enduisants Anti-r3fléchissants de la présente invention contiennent un monomère ayant une tringlerie de groupe phényle et d'amide avec l'absorptivité légère élevée à la longueur d'onde de 193 nm. Quand les polymères de la présente invention sont employés dans un enduit anti-r3fléchissant dans un processus de photolithographie pour former des ultrafine-modèles, les polymères éliminent les vagues debout provoquées par des changements de l'épaisseur de la couche de vernis photosensible, par la propriété spectroscopique des couches inférieures de la gaufrette de semi-conducteur et par des changements du CD dû à la lumière diffractive et r3fléchissante provenir de la couche inférieure, ayant pour résultat la formation stable de ultrafine-crépite de ce fait approprié 64 M, 256 M, 1 G, 4 dispositifs de G et 16 de semi-conducteur de DRACHME de G et une grande amélioration du rendement de production. La présente invention se relie également aux compositions anti-r3fléchissantes contenant ces polymères, enduits anti-r3fléchissants formés de ces compositions et dispositifs de semi-conducteur contenant ces enduits anti-r3fléchissants, aussi bien que des méthodes de préparation pour cette fin.