The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method for forming an interlayer insulating film containing a coating insulating film having a low dielectric constant. In construction, there are provided the steps of preparing a substrate 20 on a surface of which a coating insulating film 26 is formed by coating a coating liquid containing any one selected from a group consisting of silicon-containing inorganic compound and silicon-containing organic compound, and forming a protection layer 27 for covering the coating insulating film 26 by plasmanizing a first film forming gas to react, wherein the first film forming gas consists of any one selected from a group consisting of alkoxy compound having Si--H bonds and siloxane having Si--H bonds and any one oxygen-containing gas selected from a group consisting of O.sub.2, N.sub.2 O, NO.sub.2, CO, CO.sub.2, and H.sub.2 O.

Η παρούσα εφεύρεση αφορά μια μέθοδο κατασκευής συσκευών ημιαγωγών για μια μονώνοντας ταινία ενδιάμεσων στρωμάτων που περιέχει μια μονώνοντας ταινία επιστρώματος που έχει μια χαμηλή διηλεκτρική σταθερά. Στην κατασκευή, παρέχονται τα βήματα της προετοιμασίας ενός υποστρώματος 20 σε μια επιφάνεια της οποίας μια μονώνοντας ταινία 26 επιστρώματος διαμορφώνεται με την επένδυση ενός υγρού επιστρώματος που περιέχει οποιας δήποτε που επιλέγεται από μια ομάδα που αποτελείται από τον πυρίτιο-περιορισμό της ανόργανης ένωσης και τον πυρίτιο-περιορισμό της οργανικής ένωσης, και της διαμόρφωσης ενός στρώματος 27 προστασίας για την κάλυψη της μονώνοντας ταινίας 26 επιστρώματος με μια πρώτη ταινία διαμορφώνοντας αέριο για να αντιδράσουν, όπου η πρώτη διαμόρφωση ταινιών αποτελείται αέριο από οποιαδήποτε που επιλέγεται από μια ομάδα που αποτελείται από την αλκόξινη ένωση που έχει το Si -- δεσμοί και siloxane χ που έχουν το Si -- δεσμοί χ και οποιοσδήποτε οξυγόνο-περιορισμός που επιλέγονται αέριο από μια ομάδα που αποτελείται από O.sub.2, N.sub.2 ο, NO.sub.2, κοβάλτιο, CO.sub.2