A high density, non-bussed semiconductor package and a full body gold (FBG) method for manufacturing semiconductor packages are provided to improve electrical and mechanical connections with semiconductors and other electronic components and devices. The semiconductor package is fabricated by developing circuitry on the wire bond side of the semiconductor package prior to developing the ball attach side. The copper circuitry on the wire bond side is fully covered and protected from the environment. Solder masks are applied directly to the semiconductor substrate or copper layer to avoid contact with gold. The ball attach area is covered and protected by metallic layers, such as nickel and gold, or an organic solderable material to eliminate weak solder mask-gold connections.

Un'alta densità, un pacchetto non-trasportato a semiconduttore e un metodo completo dell'oro del corpo (FBG) per la produzione dei pacchetti a semiconduttore sono forniti per migliorare i collegamenti elettrici e meccanici con i semiconduttori ed altri componenti elettronici e dispositivi. Il pacchetto a semiconduttore è fabbricato sviluppando i circuiti dal lato del legame del legare del pacchetto a semiconduttore prima dello sviluppare il lato dell'attaccatura della sfera. I circuiti di rame dal lato del legame del legare completamente sono coperti e protetti dall'ambiente. Le mascherine della saldatura sono applicate direttamente al substrato a semiconduttore o allo strato del rame per evitare il contatto con oro. Il settore dell'attaccatura della sfera è trattato e protetto dagli strati metallici, quali nichel ed oro, o da un materiale solderable organico per eliminare i collegamenti deboli dell'mascherina-oro della saldatura.