Within both a microelectronic conductor structure and a method for forming the microelectronic conductor structure there is employed a silicon carbide layer having formed thereupon a silicon nitride layer in turn having formed thereupon a patterned low dielectric constant dielectric layer in turn having formed interposed between its patterns a patterned conductor layer. Within both the microelectronic conductor structure and the method for forming the microelectronic conductor structure, by employing the silicon carbide layer having formed thereupon the silicon nitride layer in turn having formed thereupon the patterned low dielectric constant dielectric layer, the microelectronic conductor structure is formed with enhanced adhesion and attenuated electrical leakage.

Как в пределах микроэлектронной структуры проводника так и в пределах метода для формировать микроэлектронную структуру проводника там использует слою карбида кремния формируя thereupon слой нитрида кремния в свою очередь формируя thereupon сделанную по образцу низкую диэлектрическую константу диэлектрический, котор формируя слой в свою очередь interposed между своими картинами сделанный по образцу слой проводника. Как в пределах микроэлектронной структуры проводника так и в пределах метода для формировать микроэлектронную структуру проводника, путем использовать слой карбида кремния формируя thereupon слой нитрида кремния в свою очередь формируя thereupon сделанный по образцу низкий слой диэлектрической константы диэлектрический, микроэлектронная структура проводника сформирована с увеличенным прилипанием и ослабляющ электрическую утечку.