After formation of a groove in a silicon oxide film, a Pt film is formed inside of the groove by electroplating using a conductive underlying film, which has been formed in advance below the silicon oxide film, as a cathode electrode. The silicon oxide film is then removed by etching, followed by dry etching of the conductive underlying film with the Pt film as a mask, whereby a lower electrode of a capacitor is formed from the Pt film and the conductive underlying film which has remained below the Pt film.

Após a formação de um sulco em uma película do óxido do silicone, uma película da pinta é dada forma dentro do sulco electroplating usando uma película subjacente condutora, que seja dada forma adiantado abaixo da película do óxido do silicone, como um elétrodo do cátodo. A película do óxido do silicone é removida então gravando, seguido gravura a água-forte seca da película subjacente condutora com a película da pinta como uma máscara, por meio de que um elétrodo mais baixo de um capacitor é dado forma da película da pinta e da película subjacente condutora que remanesceu abaixo da película da pinta.