Reflectance of a p-Si film crystallized by laser annealing is measured, a wave length dependency of the reflectance is found, and a first order rate of change is calculated to determine a minimum value near a wave length of 500 nm. The value is to be an inherent optical value under the laser power and relates to a grain size measured by Secco etching or the like. A number of correspondence between the optical value and the grain size are recorded and linearly plotted. By calculating the optical value from the reflectance in the p-Si film at in-line, the grain size is correspondingly determined. Thus, the semiconductor film can be in-line monitored, thereby improving a yield and saving a cost in producing a semiconductor device.

A reflectância de uma película da libra por polegada quadrada cristalizada pelo recozimento do laser é medida, uma dependência do comprimento de onda da reflectância é encontrada, e uma primeira taxa da ordem de mudança é calculada para determinar um valor mínimo perto de um comprimento de onda de 500 nm. O valor deve ser um valor ótico inerente sob o poder do laser e relaciona-se a um tamanho de grão medido gravura a água-forte de Secco ou pelo gosto. Um número de correspondência entre o valor ótico e o tamanho de grão é gravada e traçada linear. Calculando o valor ótico da reflectância na película da libra por polegada quadrada em in-line, o tamanho de grão é determinado correspondingly. Assim, a película do semicondutor pode in-line ser monitorada, desse modo melhorando um rendimento e conservando um custo em produzir um dispositivo de semicondutor.