A row access command and column access command are supplied as one packet to an FCRAM in two successive clock cycles in order to shorten random access time and random cycle time. At this time, definition of the read/write operation is made by use of a first command and a decode address of a memory cell array is fetched in response to the first command. When the decode address of the memory cell array is fetched in response to the first command, command control pins of the conventional SDR/DDR-SDRAM are used as address pins.

Une commande de commande d'accès de rangée et d'accès de colonne sont fournies en tant qu'un paquet à un FCRAM en deux rhythmes successifs afin de raccourcir le temps d'accès sélectif et la durée de cycle aléatoire. Actuellement, la définition de l'opération lecture/écriture est faite au moyen d'une première commande et une adresse de décodage d'une rangée de cellules de mémoire est cherchée en réponse à la première commande. Quand l'adresse de décodage de la rangée de cellules de mémoire est cherchée en réponse à la première commande, des goupilles de commande de commande du SDR/DDR-SDRAM conventionnel sont utilisées comme goupilles d'adresse.