A read-out circuit capable of achieving an improvement in the reliability
of a reference potential generating cell by utilizing a 1T-1C (one
transistor-one ferroelectric capacitor) type FRAM which enables a
reduction in area to constitute the reference potential generating cell is
provided. A read-out circuit that amplifies a binary signal through a
sense amplifier and reads out the amplified signal as a bit line potential
is provided with a 0-level setting circuit that resets the lower potential
signal in the binary signal to 0 V at a stage preceding the sense
amplifier. By adopting this structure, a constant potential can be used as
a reference potential, to achieve stable operation. In addition since a
constant potential can be used as the reference potential, the degree of
change occurring over time can be reduced. Furthermore, since the capacity
of the reference potential line does not require a particularly large
capacity, the power consumption during a read-out operation can be
reduced.
Un circuit de lecture capable de réaliser une amélioration de la fiabilité d'une cellule se produisante potentielle de référence en utilisant (un condensateur ferroelectric de transistor-un) un type 1T-1C FRAM qui permet à une réduction de secteur de constituer la cellule se produisante potentielle de référence est fourni. Un circuit de lecture qui amplifie un signal binaire par un amplificateur de sens et donne lecture le signal amplifié pendant qu'une ligne potentiel de peu est équipée de 0-level plaçant le circuit qui remet à zéro le signal potentiel inférieur dans le signal binaire à 0 V à une étape précédant l'amplificateur de sens. En adoptant cette structure, un potentiel constant peut être employé comme potentiel de référence, de réaliser l'opération stable. En outre puisqu'un potentiel constant peut être employé comme potentiel de référence, le degré de changement se produisant avec le temps peut être réduit. En outre, puisque la capacité de la ligne potentielle de référence n'exige pas une capacité particulièrement grande, la puissance d'énergie pendant une opération de lecture peut être réduite.
