A method for manufacturing a trench gate structure of a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. A substrate is provided, which substrate has a epitaxial layer thereon, a base region formed in the epitaxial layer, a source region formed in a portion of the base region, a first dielectric layer on the base region and the source region, a second dielectric layer on the first dielectric layer and a trench penetrating through the second and the first dielectric layers, the source region and the base region and into the epitaxial layer. A third dielectric layer is formed on the bottom of the trench. A conformal gate oxide layer is formed in the trench. A conformal polysilicon layer is formed on the second dielectric layer and in the trench. A fourth dielectric layer is formed on the polysilicon layer to fill the trench. Portions of the fourth dielectric layer and the polysilicon layer are removed until the surfaces of the fourth dielectric layer and the polysilicon layer are substantially level with the surface of the base region.

Μια μέθοδος για μια δομή πυλών τάφρων μιας field-effect μέταλλο-οξείδιο-ημιαγωγών δύναμης κρυσταλλολυχνίας. Ένα υπόστρωμα παρέχεται, ποιο υπόστρωμα έχει ένα κρυσταλλικό στρώμα επ'αυτού, μια περιοχή βάσεων που διαμορφώνονται στο κρυσταλλικό στρώμα, μια περιοχή πηγής που διαμορφώνονται σε μια μερίδα της περιοχής βάσεων, ένα πρώτο διηλεκτρικό στρώμα στην περιοχή βάσεων και την περιοχή πηγής, ένα δεύτερο διηλεκτρικό στρώμα στο πρώτο διηλεκτρικό στρώμα και μια τάφρο που διαπερνά μέσω των δεύτερων και πρώτων διηλεκτρικών στρωμάτων, η περιοχή πηγής και η περιοχή βάσεων και στο κρυσταλλικό στρώμα. Ένα τρίτο διηλεκτρικό στρώμα διαμορφώνεται στο κατώτατο σημείο της τάφρου. Ένα σύμμορφο στρώμα οξειδίων πυλών διαμορφώνεται στην τάφρο. Ένα σύμμορφο στρώμα πολυπυρίτιων διαμορφώνεται στο δεύτερο διηλεκτρικό στρώμα και στην τάφρο. Ένα τέταρτο διηλεκτρικό στρώμα διαμορφώνεται στο στρώμα πολυπυρίτιων για να γεμίσει την τάφρο. Οι μερίδες του τέταρτου διηλεκτρικού στρώματος και του στρώματος πολυπυρίτιων αφαιρούνται έως ότου οι επιφάνειες του τέταρτου διηλεκτρικού στρώματος και του στρώματος πολυπυρίτιων είναι ουσιαστικά επίπεδο με την επιφάνεια της περιοχής βάσεων.