A metal gate structure is formed by depositing a gate dielectric, a gate electrode, a stop layer, and a metal layer within a gate trench and removing the portions of the layers that lie outside the gate trench. A first polish or etch process is used to remove a portion of the metal layer selective to the stop layer. A second polish or etch process is used to remove portions of the gate dielectric, the gate electrode, the stop layer and the metal layer which lie outside the gate trench after the first polish or etch process. The resulting structure increases the uniformity and non-planarity of the top surface of the metal gate structure.

Una estructura de la puerta del metal es formada depositando un dieléctrico de la puerta, un electrodo de puerta, una capa de la parada, y una capa del metal dentro de un foso y de quitar de la puerta las porciones de las capas que mienten fuera del foso de la puerta. Un primer proceso polaco o del grabado de pistas se utiliza para quitar una porción de la capa del metal selectiva a la capa de la parada. Un segundo proceso polaco o del grabado de pistas se utiliza para quitar las porciones del dieléctrico de la puerta, del electrodo de puerta, de la capa de la parada y de la capa del metal que mienten fuera del foso de la puerta después de que el primer proceso del pulimento o del grabado de pistas. La estructura que resulta aumenta la uniformidad y el non-planarity de la superficie superior de la estructura de la puerta del metal.