Strip-shaped ditches are formed on a sapphire substrate as a base material. Then, the sapphire substrate is set into a CVD chamber, and an Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N (x+y+z=1,x>0,y,z.gtoreq.0)film is epitaxially grown on the sapphire substrate so as to embed the ditches by a selective lateral epitaxial growth method. As a result, the Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N film has low dislocation density areas on at least one of the concave portions and the convex portions of the strip-shaped ditches.

Abstreifen-geformte Abzugsgräben werden auf einem Saphirsubstrat als Grundmaterial gebildet. Dann wird das Saphirsubstrat in einen CVD Raum und in ein Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N eingestellt (x+y+z=1, x 0, y, z.gtoreq.0)film wird Epitaxial- auf dem Saphirsubstrat gewachsen, um die Abzugsgräben einzubetten durch eine vorgewählte seitliche Methode des Epitaxial- Wachstums. Infolgedessen hat der Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N Film niedrige Versetzungsdichtebereiche auf einem mindestens der konkaven Teile und der konvexen Teile der abstreifen-geformten Abzugsgräben.