A method of forming a superconducting damascene interconnect structure, and the structure made thereby, the method includes forming a cavity in an interlevel dielectric; forming a barrier layer in the cavity; forming a seed layer in the cavity over the barrier layer; filling the cavity by electrodepositing a Y--Ba--Cu alloy; and annealing in oxygen flow to form a Y--Ba--Cu--O superconductor on the barrier layer. In one embodiment, the superconductor has a formula YBa.sub.2 Cu.sub.3 O.sub.7-x, wherein x.ltoreq.0.5. In another embodiment, the method includes forming a cavity in an interlevel dielectric; forming a Y--Ba--Cu alloy layer in the cavity; forming a seed layer in the cavity over the Y--Ba--Cu alloy layer; filling the cavity by electrodepositing a Y--Ba--Cu alloy fill; and annealing in oxygen flow to form a Y--Ba--Cu--O superconductor on the dielectric.

Eine Methode der Formung einer superconducting damascene Verknüpfung Struktur und die Struktur, die dadurch, die Methode gebildet wird, schließt die Formung eines Raums in einem interlevel Nichtleiter ein; Formung einer Grenzschicht im Raum; einen Samen bildend, überlagern Sie im Raum über der Grenzschicht; den Raum durch das Electrodepositing ein Y füllen -- Ba -- Culegierung; und Ausglühen im Sauerstofffluß, zum eines Y zu bilden -- Ba -- Cu -- O superconductor auf der Grenzschicht. In einer Verkörperung hat das superconductor eine Formel YBa.sub.2 Cu.sub.3 O.sub.7-x, worin x.ltoreq.0.5. In einer anderen Verkörperung schließt die Methode die Formung eines Raums in einem interlevel Nichtleiter ein; ein Y bildend -- Ba -- Cu legieren Schicht im Raum; einen Samen bildend, überlagern Sie im Raum über dem Y -- Ba -- Culegierung Schicht; den Raum durch das Electrodepositing ein Y füllen -- Ba -- Culegierung Fülle; und Ausglühen im Sauerstofffluß, zum eines Y zu bilden -- Ba -- Cu -- O superconductor auf dem Nichtleiter.