Structures and methods are described that inhibit atomic migration which otherwise creates an undesired capacitive-resistive effect arising from a relationship between a metallization layer and an insulator layer of a semiconductor structure. A layer of an inhibiting compound may be used to inhibit a net flow of atoms so as to maintain conductivity of the metallization layer and maintain the low dielectric constant of a suitable chosen insulator material. Such a layer of inhibiting compound continues to act even with the reduction of ground rules in succeeding generations of semiconductor processing technology. One embodiment includes an insulator having a first substance, wherein the first substance is selected from a group consisting of a polymer and an insulating oxide compound. The embodiment includes an inhibiting layer on the insulator, wherein the inhibiting layer includes a compound formed from a reaction that includes the first substance and a second substance. The second substance is selected from a group consisting of a transition metal, a representative metal, and a metalloid. The embodiment includes a highly conductive metallization layer on the inhibiting layer.

De structuren en de methodes worden beschreven die atoommigratie remmen die anders tot een ongewenst capacitief-weerstand biedend effect leidt dat van een verhouding tussen een metalliseringslaag en een isolatielaag het gevolg is van een halfgeleiderstructuur. Een laag van een het verbieden samenstelling kan worden gebruikt om een netto stroom van atomen te remmen om geleidingsvermogen van de metalliseringslaag te handhaven en de lage diëlektrische constante van een geschikt gekozen isolatiemateriaal te handhaven. Een dergelijke laag van het verbieden samenstelling blijft zelfs met de reductie van grondregels in volgende generaties van de technologie van de halfgeleiderverwerking handelen. Één belichaming omvat een isolatie die een eerste substantie heeft, waarin de eerste substantie uit een groep die uit een polymeer en een isolerende oxydesamenstelling wordt geselecteerd bestaat. De belichaming omvat een verbiedende laag op de isolatie, waarin de verbiedende laag een samenstelling omvat die van een reactie wordt gevormd die de eerste substantie en een tweede substantie omvat. De tweede substantie wordt uit een groep geselecteerd die uit een overgangsmetaal, een representatief metaal, en metalloid bestaat. De belichaming omvat een hoogst geleidende metalliseringslaag op de verbiedende laag.