A method of growing single crystal silicon in a liquid phase comprises preparing a melt by dissolving a solid of silicon containing boron, aluminum, phosphorus or arsenic at a predetermined concentration into indium melted in a carbon boat or a quartz crucible, supersaturating the melt, and submerging a substrate into the melt, thereby growing a silicon crystal containing a dopant element. This method can provide a method of growing a thin film of crystalline silicon having a high crystallinity and a dopant concentration favorably controlled, thereby serving for mass production of inexpensive solar cells which have high performance as well as image displays which have high contrast and are free from color ununiformity.

Метод расти кремний одиночного кристалла в жидкостном участке состоит из подготовлять melt путем растворять твердое тело кремния содержа бор, алюминий, фосфор или мышьяк на предопределенной концентрации в расплавленный индий в шлюпке углерода или тигель кварца, supersaturating melt, и субстрат в воду в melt, таким образом кристалл кремния содержа элемент dopant. Этот метод может обеспечить метод расти тонкая пленка кристаллического кремния имея высокую кристалличность и концентрацию dopant благоприятно быть проконтролированным, таким образом служя для массовой продукции недорогие фотоэлемента которые имеют высокий класс исполнения так же, как изображение показывает который имеют высокий контраст и свободно от ununiformity цвета.