A semiconductor device includes a semiconductor substrate having a device element, an interlayer dielectric layer (silicon oxide layer, BPSG layer) formed on the semiconductor substrate, a through hole defined in the interlayer dielectric layer, a barrier layer formed on surfaces of the interlayer dielectric layer and the through hole, and a wiring layer formed on the barrier layer. The barrier layer includes a first metal oxide layer formed from an oxide of a metal that forms the barrier layer (e.g., a first titanium oxide layer), a metal nitride layer formed from a nitride of the metal that forms the barrier layer (e.g., a titanium nitride layer), and a second metal oxide layer formed from an oxide of the metal that forms the barrier layer (e.g., a second titanium oxide layer). The semiconductor device thus manufactured has a barrier layer of an excellent barrier capability.

Ein Halbleiterelement schließt ein Halbleitersubstrat mit ein, das ein Vorrichtung Element, eine dielektrische Schicht der Zwischenlage hat (Silikonoxidschicht, BPSG Schicht) gebildet auf dem Halbleitersubstrat, a durch die Bohrung, die in der dielektrischen Schicht der Zwischenlage, in einer Grenzschicht gebildet werden auf Oberflächen der dielektrischen Schicht der Zwischenlage und in der durchgehenden Bohrung definiert wird, und eine Verdrahtung Schicht bildete sich auf der Grenzschicht. Die Grenzschicht schließt eine erste Metalloxidschicht ein, die von einem Oxid eines Metalls gebildet wird, das die Grenzschicht bildet (z.B., eine erste Titanoxydschicht), eine Metallnitridschicht sich bildete von einem Nitrid des Metalls, das die Grenzschicht (z.B., eine Titannitridschicht) bildet, und eine zweite Metalloxidschicht bildete sich von einem Oxid des Metalls, das die Grenzschicht bildet (z.B., eine zweite Titanoxydschicht). Das folglich hergestellte Halbleiterelement hat eine Grenzschicht einer ausgezeichneten Sperre Fähigkeit.