A magnetic tunnel junction includes a tunnel barrier having partially processed (e.g., underoxidized) base material. Such magnetic tunnel junctions may be used in Magnetic Random Access Memory ("MRAM") devices.

Eine magnetische Tunnelverzweigung schließt eine Tunnelsperre (z.B., underoxidized), Grundmaterial teilweise verarbeitend ein. Solche magnetische Tunnelverzweigungen können in den magnetischen Vorrichtungen des RAMS benutzt werden ("MRAM").