A recessed bond pad within an electronic device on a substrate, and associated method of fabrication. The electronic device includes N contiguous levels of interconnect metallurgy, with level N coupled to the substrate. A first group of metallic etch stops is formed at level M.ltoreq.N, and a second group of metallic etch stops is formed at level M-1. The second group conductively contacts the first group in an overlapping multilevel matrix pattern. A recessed copper pad is formed at level K.ltoreq.M-2. A cylindrical space that encloses the metal pad encompasses levels 1,2, . . . , M-1 above the first group, and levels 1,2, . . . , M-2 above the second group. Dielectric material in the cylindrical space is etched away, leaving a void supplanting the etched dielectric material, and leaving exposed surfaces of the cylindrical space. The copper pad is exposed and recessed within the cylindrical space. An aluminum layer is conformally formed to encapsulate the exposed copper pad, to protect the copper pad from oxidation. The recessed bond pad includes the copper pad and the encapsulating aluminum layer. A blanket is formed that covers remaining exposed surfaces of the cylindrical space while leaving a portion of the aluminum layer of the bond pad exposed. The blanket protects the surfaces from oxidation, contaminants, and mechanical stress. The recessing of the bond pad prevents force applied to a wirebond on the bond pad from being transmitted to dielectric material within the substrate.

Un cojín en enlace ahuecado dentro de un dispositivo electrónico en un substrato, y método asociado de fabricación. El dispositivo electrónico incluye niveles contiguos de N de la metalurgia de la interconexión, con el nivel N juntado al substrato. Un primer grupo de paradas metálicas del grabado de pistas se forma en el nivel M.ltoreq.N, y un segundo grupo de paradas metálicas del grabado de pistas se forma en el nivel M-1. El segundo grupo conductor entra en contacto con a primer grupo en un patrón de niveles múltiples traslapado de la matriz. Un cojín de cobre ahuecado se forma en el nivel K.ltoreq.M-2. Un espacio cilíndrico que incluye el cojín del metal abarca los niveles 1.2. . . , M-1 sobre el primer grupo, y niveles 1.2. . . , M-2 sobre el segundo grupo. El material dieléctrico en el espacio cilíndrico se graba al agua fuerte lejos, saliendo de un vacío que suplanta el material dieléctrico grabado al agua fuerte, y dejando superficies expuestas del espacio cilíndrico. El cojín de cobre se expone y se ahueca dentro del espacio cilíndrico. Una capa de aluminio conformally se forma encapsula el cojín de cobre expuesto, para proteger el cojín de cobre contra la oxidación. El cojín en enlace ahuecado incluye el cojín de cobre y la capa de aluminio de encapsulado. Se forma una manta que cubre superficies expuestas restantes del espacio cilíndrico mientras que deja una porción de la capa de aluminio del cojín en enlace expuesta. La manta protege las superficies contra la oxidación, los contaminantes, y la tensión mecánica. El ahuecar del cojín en enlace evita que la fuerza aplicada a un wirebond en el cojín en enlace sea transmitida al material dieléctrico dentro del substrato.