Process for treating a semiconductor substrate 25, polymeric etchant deposits 190, silicon lattice damage 195, and native silicon dioxide layers 185, are removed in sequential process steps. The polymeric etchant deposits 190 are removed using an activated cleaning gas comprising inorganic fluorinated gas and an oxygen gas. Silicon lattice damage 195 are etched using an activated etching gas. Thereafter, an activated reducing gas comprising a hydrogen-containing gas is used to reduce the native silicon dioxide layer 185, on the substrate 25, to a silicon layer. Subsequently, a metal layer 200 is deposited on the substrate 25 and the substrate annealed to form a metal silicide layer 205. Removal of the polymeric etchant deposits 190, the silicon lattice damage 195, and the native silicon oxide layer 185 increases the interfacial conductivity of the metal silicide layer 205 to the underlying silicon-containing substrate 25.

Процесс для обрабатывать субстрат 25 полупроводника, полимерные etchant залеми 190, повреждение 195 решетки кремния, и родние слои 185 двуокиси кремния, извлекается в последовательных отростчатых шагах. Извлечутся полимерные etchant залеми 190 использующ активированный очищая газ состоя из неорганического fluorinated газа и газа кислорода. Вытравлено повреждение 195 решетки кремния использующ активированный вытравляя газ. В дальнейшем, активированный уменьшая газ состоя из водопод-soderja газа использован для уменьшения родного слоя 185 двуокиси кремния, на субстрате 25, к слою кремния. Затем, слой 200 металла депозирован на субстрате 25 и субстрате обжженном для того чтобы сформировать слой 205 силицида металла. Удаление полимерных etchant залемей 190, повреждения 195 решетки кремния, и родного слоя 185 окиси кремния увеличивает interfacial проводимость слоя 205 силицида металла к основному кремни-soderja субстрату 25.