An output buffer with built-in ESD protection is disclosed. The built-in ESD protection is preferably formed using transistors from the sea-of-transistors or sea-of-gates region of the integrated circuit, which may eliminate the need for dedicated ESD devices, and in particular, dedicated ESD devices that are pre-fabricated into the under-layers in and around the perimeter of the integrated circuit.

Буфер выхода с built-in предохранением от ESD показан. Built-in предохранение от ESD предпочтительн сформировано использующ транзисторы от зоны мор-$$$-TRANZISTOROV или мор-$$$-STROBOV интегрированной цепи, которая может исключить потребность для преданных приспособлений ESD, и в частности, преданные приспособления ESD которых pre-fabricated в под-sloi в и вокруг периметра интегрированной цепи.