A method of determining electrical parameters of a silicon-on-insulator wafer. In this method a native oxide of a silicon layer on a silicon-on-insulator substrate is removed from a silicon mesa formed on the silicon layer. The mesa is contacted with two liquid metal electrodes. A voltage is applied to an electrode on the bottom of the silicon-on-insulator wafer. The current between the two liquid metal electrodes is measured for a combination of voltages between the liquid metal electrodes and the bottom voltage. The resulting current-voltage behavior is analyzed to obtain parameters of mobility, charge in the buried oxide of the silicon-on-insulator substrate, interface state charge, threshold voltages in the linear and saturated regions, doping density, transconductances and output conductances.

Une méthode de déterminer des paramètres électriques d'une gaufrette d'silicium-sur-isolateur. Dans cette méthode un oxyde indigène d'une couche de silicium sur un substrat d'silicium-sur-isolateur est éliminé d'un MESA de silicium formé sur la couche de silicium. Le MESA est entré en contact avec deux électrodes liquides en métal. Une tension est appliquée à une électrode sur le fond de la gaufrette d'silicium-sur-isolateur. Le courant entre les deux électrodes liquides en métal est mesuré une combinaison des tensions entre les électrodes liquides en métal et la tension inférieure. Le comportement courant-tension résultant est analysé pour obtenir des paramètres de la mobilité, charge dans l'oxyde enterré du substrat d'silicium-sur-isolateur, la charge d'état d'interface, tensions de seuil dans les régions linéaires et saturées, enduisant la densité, les transconductances et les conductances de rendement.