A top spin valve sensor includes an iridium manganese (IrMn) pinning layer which has been formed by ion beam sputter deposition. The magnetoresistive coefficient of the spin valve sensor is increased by employing an iridium manganese oxide (IrMnO) seed layer between a free layer of the spin valve sensor and a first read gap layer of the read head. The free layer is preferably a nickel iron free film located between first and second cobalt iron (CoFe) free films.

Un sensore superiore della valvola di rotazione include un manganese dell'iridio (IrMn) che appunta lo strato che è stato costituito dal fascio ionico polverizza il deposito. Il coefficente magnetoresistente del sensore della valvola di rotazione è aumentato impiegando uno strato del seme dell'ossido del manganese dell'iridio (IrMnO) fra uno strato libero del sensore della valvola di rotazione e un primo strato colto di spacco della testa colta. Lo strato libero è preferibilmente una pellicola libera del ferro del nichel individuata in mezzo in primo luogo e seconde pellicole libere del ferro del cobalto (CoFe).