A wiring structure for effectively reducing wiring capacitance, and a method of forming the wiring structure is disclosed. An underlying film having a dielectric constant lower than that of silicon oxide is formed on at least side surfaces of the wires of a wiring layer and a low dielectric constant film having an even lower dielectric constant is formed between the wires. Further, the surfaces of the underlying film are positively sloped. Because the low dielectric constants of the underlying film and the low dielectric constant film, wiring capacitance is effectively reduced. Further, the positively sloped surfaces facilitate the filling of narrow spaces between the wires by the low dielectric constant film.

Une structure de câblage pour réduire efficacement la capacité de câblage, et une méthode de former la structure de câblage est révélée. Un film fondamental ayant une constante diélectrique inférieure à celle de l'oxyde de silicium est formé sur au moins les surfaces latérales des fils d'une couche de câblage et un bas film de constante diélectrique ayant une constante diélectrique encore inférieure est formé entre les fils. De plus, les surfaces du film fondamental sont franchement inclinées. Puisque les basses constantes diélectriques du film fondamental et du bas film de constante diélectrique, câblant la capacité est efficacement réduites. De plus, les surfaces franchement inclinées facilitent le remplissage des espaces étroits entre les fils par le bas film de constante diélectrique.