The present invention provides a method of manufacturing a low resistivity p-type compound semiconductor material over a substrate. The method of the present invention comprises the steps of forming a p-type impurity doped compound semiconductor layer on the substrate by either HVPE, OMVPE or MBE and applying a microwave treatment over the p-type impurity doped compound semiconductor layer for a period of time. The high resistivity p-type impurity doped compound semiconductor layer is converted into a low resistivity p-type compound semiconductor material according to the present invention.

Присытствыющий вымысел обеспечивает метод изготовлять низкий материал составного полупроводника п-tipa резистивности над субстратом. Метод присытствыющего вымысла состоит из шагов формировать слой составного полупроводника п-tipa данный допинг примесью на субстрате или HVPE, OMVPE или MBE и прикладывать обработку микроволны над слоем составного полупроводника п-tipa данным допинг примесью на периодо времени. Высокой слой составного полупроводника п-tipa резистивности данный допинг примесью преобразован в низкий материал составного полупроводника п-tipa резистивности согласно присытствыющему вымыслу.