The present invention provides a semiconductor device with a roughened surface that increases external quantum efficiency thereof. Roughening of the semiconductor device surface is done by epitaxial growth techniques that may include hydride vapor phase epitaxy (HVPE) technique, organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE) technique, or molecular beam epitaxy (MBE) technique.

A invenção atual fornece um dispositivo de semicondutor com uma superfície tornada áspera que aumente a eficiência externa do quantum disso. Tornar áspero da superfície do dispositivo de semicondutor é feito pelas técnicas do crescimento epitaxial que podem incluir a técnica do epitaxy da fase do vapor do hydride (HVPE), a técnica organometallic do epitaxy da fase do vapor (OMVPE), ou a técnica do epitaxy de feixe molecular (MBE).